美光编纂者全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，隔天，大厂美国公司宣布世界各地华为 232 层 NAND 已在该美国公司的一新加坡工厂量产，前期将以晶圆外层形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费电子产品线向买家大批量。

现在，大厂发文介绍了 232 层 NAND 的相关一新技术。

此前透露，该一新技术路由表达到了今日业内破纪录的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s，比大厂 176 层制程路由表所提供最低速的介面数据数据传输速度快 50%。与前一代电子产品相比，大厂 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽减低 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，大厂 232 层 NAND 自行设计世界各地华为六六边形（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存之中每晶粒拥有最多六边形的电子产品，且每个六边形都有实质上的读取能力。

232 层 NAND 的精妙外形不仅视作买家在的设计上的弹性，也解决问题了有史以来最低的 TLC 高密度（14.6 Gb / mm2），其单位存放高密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并有别于比大厂前几代电子产品小 28% 的一新晶圆尺寸，11.5mm x 13.5mm 的晶圆使其成为目前最小的高高密度 NAND，在愈来愈小的空间内解决问题愈来愈高的容量也有助于大幅降低应用时所进占的主板空间。

大厂的 232 层 NAND 也是华为在生产之中支援 NV-LPDDR4 的电子产品，此低电压介面与以前的 I / O 介面相比可节省每位元数据传输近 30%。

大厂透露，232 层 NAND 突破性功能将助买家在资料之中心、愈来愈柔顺的笔记型电脑、最一新的移动装置和整个自在外缘领域提供愈来愈多创一新提高效率。